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1132220 博士論文(電子工学専攻) >
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http://hdl.handle.net/2261/1874
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| タイトル: | Studies of High Quality InP Layers Heteroepitaxially Grown on Si Substrates by Epitaxial Lateral Overgrowth |
| その他のタイトル: | 横方向成長によるSi基板上のInPヘテロエピタキシーに関する研究 |
| 著者: | Naritsuka, Shigeya |
| 著者(別言語): | 成塚, 重弥 |
| キーワード: | 集積回路 |
| Issue Date: | 29-Mar-1996 |
| 内容記述: | 報告番号: 甲11825 ; 学位授与年月日: 1996-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 博士(工学) ; 学位記番号: 博工第3623号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工学専攻 |
| URI: |
http://hdl.handle.net/2261/1874 |
| Appears in Collections: | 021 博士論文
1132220 博士論文(電子工学専攻)
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