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1132220 博士論文(電子工学専攻) >
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http://hdl.handle.net/2261/1897
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| タイトル: | Study of the fundamental properties of Ⅲ-Ⅴ based diluted magnetic semiconductor GaMnAs and its related heterostructures |
| その他のタイトル: | Ⅲ-Ⅴ族希薄磁性半導体GaMnAsおよびGaMnAsベース・ヘテロ構造の基本物性研究 |
| 著者: | Hayashi, Toshiaki |
| 著者(別言語): | 林, 稔晶 |
| キーワード: | 半導体 |
| Issue Date: | 29-Mar-2000 |
| 内容記述: | 報告番号: 甲15151 ; 学位授与年月日: 2000-03-29 ; 学位の種別: 課程博士 ; 学位の種類: 博士(工学) ; 学位記番号: 博工第4646号 ; 研究科・専攻: 工学系研究科電子工学専攻 |
| URI: |
http://hdl.handle.net/2261/1897 |
| Appears in Collections: | 1132220 博士論文(電子工学専攻)
021 博士論文
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