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タイトル: RF-MBE法によるYSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNの作製と評価(要旨)
著者: 石田, 崇
著者(別言語): イシダ, タカシ
キーワード: 立方晶窒化物半導体
RF-MBE成長
YSZ微傾斜基板
InN
立方晶相純度
DERI
発行日: 2011年9月27日
内容記述: 報告番号: ; 学位授与年月日: 2011-09-27 ; 学位の種別: 修士 ; 学位の種類: 修士(科学) ; 学位記番号: 修創域第4072号 ; 研究科・専攻: 新領域創成科学研究科基盤科学研究系物質系専攻
URI: http://hdl.handle.net/2261/50519
出現カテゴリ:025 修士論文
1221125 修士論文(基盤科学研究系物質系専攻)

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