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1132225 修士論文(電気系工学専攻) >

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タイトル: 気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製
その他のタイトル: Fabrication of monolithic multi-color LEDs of semi-polar InGaN/GaN MQWs with Selective-Area MOVPE based on vapor-phase-diffusion
著者: 藤原, 達記
発行日: 2011年3月24日
抄録: 本研究では, 近年, 発光デバイスとしての発展が目覚ましいInGaN系LEDについて, 新たな生産技術の提案を行うものである. 昨今の発光デバイスの発展はまさに日進月歩であり, より低価格で高品質な発光デバイスの登場が待ち望まれている. 特にLEDは近年急速に普及しつつある発光デバイスである. まず, 従来の白熱電球に比べて非常に消費電力が小さく, その簡単な構造から長寿命というメリットも併せ持っている. 消費電力が非常に小さいことから, 環境保全にも大いに貢献できる次世代発光デバイスである. しかし, このInGaN系LEDには解決されていない問題を抱えている. InGaNは, 混晶内のIn組成比を変化させることで, 理論上では近紫外から遠赤外までの波長で発光が可能である. しかし, 現在の技術では青色から緑色程度までしか高輝度なLEDは実現しておらず, 早期のInGaN系LEDの長波長化が望まれている. そこで本研究では, InGaN系LED成長において, 選択成長と{11-22}半極性面成長という2つの成長技術を用いることで新たなInGaN系LED作製手法の提案を行った. 選択成長技術とは, 気相拡散効果によって同一サンプル上で異なる発光波長を持ったLEDを成長させることができるというものである. つまり, モノリシックに多色発光のLEDを成長させることができるので, 非常に生産性の高いマルチカラーLEDの実現が可能になる. これまで本研究室では塩田, 富田が階段状マスクを用いた選択成長でマルチカラーLEDの実現を試みてきた. しかしながらc面でのInGaN/GaN MQW成長ではQCSEによって長波長化が妨げられていた[ ]. そこで, 本研究では新たに{11-22}半極性面成長を導入することでQCSEを抑制し, 従来のLEDよりも長波長かつ, 高効率な発光を目指した. 本研究の目的が達成されることで, 従来よりもLEDの生産コストが下がり, より世間に普及することで省エネルギーや環境保全など, 社会に対して大きく貢献できるものであると考えられる.
内容記述: 報告番号: ; 学位授与年月日: 2011-03-24 ; 学位の種別: 修士 ; 学位の種類: 修士(工学) ; 学位記番号: ; 研究科・専攻: 工学系研究科電気系工学専攻
URI: http://hdl.handle.net/2261/51315
出現カテゴリ:025 修士論文
1132225 修士論文(電気系工学専攻)

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