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タイトル: 研究解説 : 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
その他のタイトル: Device and Process Design and Characterization of 0.1μm Thin Film SOI MOSFETs
著者: 高宮, 真
更屋, 拓哉
デュエト, トラン
田中, 剛
石黒, 仁揮
平本, 俊郎
生駒, 俊明
著者(別言語): Takamiya, Makoto
Saraya, Takuya
Ngoc Duyet, Tran
Tanaka, Tsuyoshi
Ishikuro, Hiroki
Hiramoto, Toshiro
Ikoma, Toshiaki
発行日: 1996年10月
出版者: 東京大学生産技術研究所
掲載誌情報: 生産研究. 48(10), 1996.10, pp. 502-506
抄録: 0.1μm薄膜SOI MOSFETの設計・試作を行った. チャネルイオン注入(BF2)のエネルギーをSOIと埋め込み酸化膜の界面にピークがくるよう設計することによりパンチスルーストッパの形成とチャネルのドープを1回のイオン注入で実現した. この簡便なプロセスにより均一ドープの場合と比較し短チャネル効果が抑制できることをシミュレーションにより示し, ゲート長0.095μmのSOI MOSFETの動作を確認した.
URI: http://hdl.handle.net/2261/52992
ISSN: 0037105X
出現カテゴリ:生産研究
生産研究

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