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タイトル: ION-SENSITIVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH INORGANIC GATE OXIDE FOR PH SENSING
著者: Akiyama, Tatsuo
Ujihiar, Yusuke
Okabe, Yoichi
Sugano, Takuo
Niki, Eiji
著者(別言語): 岡部, 洋一
発行日: 1982年5月
出版者: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
掲載誌情報: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 29 (12): 1936-1941
抄録: Ion-sensitive fieldeffect transistors (ISFET’s) have been fabricated by using silicon fiims on sapphire substrates (SOS). Using this structure Si02, Zr02, and TazO5 films are examined as hydrogenion- sensitive materials, and TazO5 fiim has been found to have the highest pH sensitivity (56 mV/pH) among them. The measured pH sensitivity of this SOS-ISFET’s is compared with the theoretical sensitivity based on the site-binding model of proton dimciation reaction on the metal oxide f i i and good agreement between them is obtained.
URI: http://hdl.handle.net/2261/53
ISSN: 00189383
出現カテゴリ:015 技術・工学
16610 学術雑誌論文

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