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タイトル: 研究速報 : 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおける1V以下での基板浮遊効果
その他のタイトル: Floating Body Effect in 0.15μm Partially Depleted SOI MOSFETs below 1V
著者: 更屋, 拓哉
高宮, 真
デュエト, トラン ゴック
平本, 俊郎
生駒, 俊明
著者(別言語): Saraya, Takuya
Takamiya, Makoto
Duyet, Tran Ngoc
Hiramoto, Toshiro
Ikoma, Toshiaki
発行日: 1997年4月
出版者: 東京大学生産技術研究所
掲載誌情報: 生産研究. 49(4), 1997.4, pp. 231-234
URI: http://hdl.handle.net/2261/53126
ISSN: 0037105X
出現カテゴリ:生産研究
生産研究

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