WEKO3
アイテム
{"_buckets": {"deposit": "bfe3acd1-27dd-4d19-866b-f061e7f26c71"}, "_deposit": {"id": "1715", "owners": [], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "1715"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00001715", "sets": ["234", "254"]}, "item_7_alternative_title_1": {"attribute_name": "その他のタイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_alternative_title": "Dielectric characterization of DyScO3 gate stacks of oxide field-effect transistors"}]}, "item_7_biblio_info_7": {"attribute_name": "書誌情報", "attribute_value_mlt": [{"bibliographicIssueDates": {"bibliographicIssueDate": "2009-03-23", "bibliographicIssueDateType": "Issued"}, "bibliographic_titles": [{}]}]}, "item_7_date_granted_25": {"attribute_name": "学位授与年月日", "attribute_value_mlt": [{"subitem_dategranted": "2009-03-23"}]}, "item_7_degree_name_20": {"attribute_name": "学位名", "attribute_value_mlt": [{"subitem_degreename": "修士(科学)"}]}, "item_7_full_name_3": {"attribute_name": "著者別名", "attribute_value_mlt": [{"nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "5440", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}], "names": [{"name": "Abe, Takuya"}]}]}, "item_7_select_21": {"attribute_name": "学位", "attribute_value_mlt": [{"subitem_select_item": "master"}]}, "item_7_text_24": {"attribute_name": "研究科・専攻", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "新領域創成科学研究科物質系専攻"}]}, "item_7_text_27": {"attribute_name": "学位記番号", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "修創域第2752号"}]}, "item_7_text_36": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "Thesis"}]}, "item_7_text_4": {"attribute_name": "著者所属", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "東京大学大学院新領域創成科学研究科 基盤科学研究系物質系専攻"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "安部, 拓也"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "5439", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_files": {"attribute_name": "ファイル情報", "attribute_type": "file", "attribute_value_mlt": [{"accessrole": "open_date", "date": [{"dateType": "Available", "dateValue": "2017-05-31"}], "displaytype": "detail", "download_preview_message": "", "file_order": 0, "filename": "K-01567.pdf", "filesize": [{"value": "5.6 MB"}], "format": "application/pdf", "future_date_message": "", "is_thumbnail": false, "licensetype": "license_free", "mimetype": "application/pdf", "size": 5600000.0, "url": {"label": "本文(fulltext)", "url": "https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/1715/files/K-01567.pdf"}, "version_id": "c89a963f-882b-4cd7-8c00-4fc346d486fa"}, {"accessrole": "open_date", "date": [{"dateType": "Available", "dateValue": "2017-05-31"}], "displaytype": "detail", "download_preview_message": "", "file_order": 1, "filename": "K-01567-a.pdf", "filesize": [{"value": "398.6 kB"}], "format": "application/pdf", "future_date_message": "", "is_thumbnail": false, "licensetype": "license_free", "mimetype": "application/pdf", "size": 398600.0, "url": {"label": "要旨(summary)", "url": "https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/1715/files/K-01567-a.pdf"}, "version_id": "d8aa8284-3936-4555-8fd1-117e46ac513e"}]}, "item_keyword": {"attribute_name": "キーワード", "attribute_value_mlt": [{"subitem_subject": "Oxide electronics", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Dielectric properties", "subitem_subject_scheme": "Other"}, {"subitem_subject": "Trapped charge", "subitem_subject_scheme": "Other"}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "thesis", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec"}]}, "item_title": "酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性"}]}, "item_type_id": "7", "owner": "1", "path": ["234", "254"], "permalink_uri": "http://hdl.handle.net/2261/25680", "pubdate": {"attribute_name": "公開日", "attribute_value": "2011-08-08"}, "publish_date": "2011-08-08", "publish_status": "0", "recid": "1715", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性"], "weko_shared_id": null}
酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性
http://hdl.handle.net/2261/25680
http://hdl.handle.net/2261/256807b552da9-6d88-4a3f-9df4-1a925167cad8
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
本文(fulltext) (5.6 MB)
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要旨(summary) (398.6 kB)
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|
Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2011-08-08 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 酸化物電界効果トランジスタにおけるDyscO3ゲート絶縁膜の誘電特性 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題 | Oxide electronics | |||||
主題Scheme | Other | |||||
キーワード | ||||||
主題 | Dielectric properties | |||||
主題Scheme | Other | |||||
キーワード | ||||||
主題 | Trapped charge | |||||
主題Scheme | Other | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
タイプ | thesis | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Dielectric characterization of DyScO3 gate stacks of oxide field-effect transistors | |||||
著者 |
安部, 拓也
× 安部, 拓也 |
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著者別名 | ||||||
識別子 | 5440 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | Abe, Takuya | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | 東京大学大学院新領域創成科学研究科 基盤科学研究系物質系専攻 | |||||
書誌情報 | 発行日 2009-03-23 | |||||
学位名 | ||||||
学位名 | 修士(科学) | |||||
学位 | ||||||
値 | master | |||||
研究科・専攻 | ||||||
新領域創成科学研究科物質系専攻 | ||||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 2009-03-23 | |||||
学位記番号 | ||||||
修創域第2752号 |