WEKO3
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研究速報 : 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおける1V以下での基板浮遊効果
http://hdl.handle.net/2261/53126
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
sk049004010.pdf (634.9 kB)
|
|
Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2013-02-04 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 研究速報 : 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおける1V以下での基板浮遊効果 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Floating Body Effect in 0.15μm Partially Depleted SOI MOSFETs below 1V | |||||
著者 |
更屋, 拓哉
× 更屋, 拓哉× 高宮, 真× デュエト, トラン ゴック× 平本, 俊郎× 生駒, 俊明 |
|||||
著者別名 | ||||||
識別子 | 30988 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | Saraya, Takuya | |||||
著者別名 | ||||||
識別子 | 30989 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | Takamiya, Makoto | |||||
著者別名 | ||||||
識別子 | 30990 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | Duyet, Tran Ngoc | |||||
著者別名 | ||||||
識別子 | 30991 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | Hiramoto, Toshiro | |||||
著者別名 | ||||||
識別子 | 30992 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | Ikoma, Toshiaki | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | 東京大学生産技術研究所第3部 集積デバイスエンジニアリング | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター 集積デバイスエンジニアリング | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | (株)テキサス・インスツルメンツ筑波研究開発センター 概念エレクトロニクス | |||||
書誌情報 |
生産研究 巻 49, 号 4, p. 231-234, 発行日 1997-04 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 0037105X | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00127075 | |||||
日本十進分類法 | ||||||
主題 | 549 | |||||
主題Scheme | NDC | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
出版者別名 | ||||||
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo |