研究解説 : 分子線エピタキシャル成長Siドープ(311)A GaAsの伝導型遷移

阪本 憲成; 平川 一彦; 生駒 俊明

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アイテムタイプ	紀要論文 / Departmental Bulletin Paper
言語	日本語
その他のタイトル	Conduction-type Conversion of Si-doped (311)A GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
著者	阪本憲成平川一彦生駒俊明
著者別名	Sakamoto Noriaki Hirakawa Kazuhiko Ikoma Toshiaki
著者所属	東京大学生産技術研究所第3部量子半導体エレクトロニクステキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター東京大学生産技術研究所電子デバイス
抄録	分子線エピタキシー法により成長したSiドープ(311)A GaAsの伝導型の結晶成長条件依存性について詳細に検討した. Siドープ (311)A GaAsの伝導型は, 低成長温度/高ひ素圧条件下ではn型であるが, 一方, 高成長温度/低ひ素条件下ではp型に遷移する. このときの遷移は急峻で, またSiの活性化率も各々の領域で最大100%近くなり, ドーパントとしてSiのみを用いることにより, 良好な伝導型制御が可能であることが明らかになった. さらに, この伝導型遷移のメカニズムが, (311)A面に生成するミクロな表面コラゲーションと強い相関があることを光学的, 電気的手法から明らかにした.
雑誌名	生産研究
巻	47
号	5
ページ	229 - 236
発行年	1995-05
ISSN	0037105X
書誌レコードID	AN00127075
日本十進分類法	549
出版者	東京大学生産技術研究所
出版者別名	Institute of Industrial Science, the University of Tokyo

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