WEKO3
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研究解説 : 分子線エピタキシャル成長Siドープ(311)A GaAsの伝導型遷移
http://hdl.handle.net/2261/52516
http://hdl.handle.net/2261/5251607efcd10-f2b9-4f24-a817-8d0b2e4978a7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
sk047005001.pdf (5.7 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 研究解説 : 分子線エピタキシャル成長Siドープ(311)A GaAsの伝導型遷移 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Conduction-type Conversion of Si-doped (311)A GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy | |||||
| 著者 |
阪本, 憲成
× 阪本, 憲成× 平川, 一彦× 生駒, 俊明 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 32187 | |||||
| 姓名 | Sakamoto, Noriaki | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 32188 | |||||
| 姓名 | Hirakawa, Kazuhiko | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 32189 | |||||
| 姓名 | Ikoma, Toshiaki | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学生産技術研究所第3部 量子半導体エレクトロニクス | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学生産技術研究所 電子デバイス | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 分子線エピタキシー法により成長したSiドープ(311)A GaAsの伝導型の結晶成長条件依存性について詳細に検討した. Siドープ (311)A GaAsの伝導型は, 低成長温度/高ひ素圧条件下ではn型であるが, 一方, 高成長温度/低ひ素条件下ではp型に遷移する. このときの遷移は急峻で, またSiの活性化率も各々の領域で最大100%近くなり, ドーパントとしてSiのみを用いることにより, 良好な伝導型制御が可能であることが明らかになった. さらに, この伝導型遷移のメカニズムが, (311)A面に生成するミクロな表面コラゲーションと強い相関があることを光学的, 電気的手法から明らかにした. | |||||
| 書誌情報 |
生産研究 巻 47, 号 5, p. 229-236, 発行日 1995-05 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0037105X | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00127075 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
| 出版者別名 | ||||||
| Institute of Industrial Science, the University of Tokyo | ||||||
