WEKO3
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研究解説 : 化合物半導体中の深い準位
http://hdl.handle.net/2261/35365
http://hdl.handle.net/2261/353652410080f-9730-418f-bb80-e147bd0b3f59
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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sk031007001.pdf (698.9 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-07 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 研究解説 : 化合物半導体中の深い準位 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Deep Levels in III-V Compound Semiconductors | |||||
| 著者 |
生駒, 俊明
× 生駒, 俊明× 栗原, 由紀子 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42296 | |||||
| 姓名 | IKOMA, Toshiaki | |||||
| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 42297 | |||||
| 姓名 | KURIHARA, Yukiko | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学生産技術研究所 第3部 画像電子デバイス工学 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 化合物半導体，特にGaAs中の点欠陥のつくる深い準位の電気的，光学的性質について解説を加え，現在問題となっていて今後解明すべきいくつかの事柄について述べた．内容は主として当研究室でこれまで行ってきた一連の研究の成果を中心としてまとめたものである．この分野の研究が今後益々重要となってくることを指摘した． | |||||
| 書誌情報 |
生産研究 巻 31, 号 7, p. 555-563, 発行日 1979-07-01 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0037105X | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00127075 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 500 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
| 出版者別名 | ||||||
| Institute of Industrial Science, the University of Tokyo | ||||||
