WEKO3
アイテム
AlGaAs 中間層を用いた立方晶GaN のMOVPE 成長
http://hdl.handle.net/2261/37084
http://hdl.handle.net/2261/370843d16da75-92c1-4760-8466-b422a7fd4288
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文(fulltext) (2.9 MB)
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要旨(summary) (534.4 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2012-10-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | AlGaAs 中間層を用いた立方晶GaN のMOVPE 成長 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 窒化物半導体 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 窒化ガリウム | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | GaN | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 立方晶 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MOVPE | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| 著者 |
加藤, 宏盟
× 加藤, 宏盟 |
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| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学大学院新領域創成科学研究科基盤科学研究系物質系専攻 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2010-03-24 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 修士(科学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | master | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 新領域創成科学研究科物質系専攻 | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2010-03-24 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 修創域第3175号 | ||||||
