AlGaAs 中間層を用いた立方晶GaN のMOVPE 成長

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Permalink : http://hdl.handle.net/2261/37084

アイテムタイプ	学位論文 / Thesis or Dissertation
言語	日本語
キーワード	窒化物半導体, 窒化ガリウム, GaN, 立方晶, MOVPE
著者	加藤宏盟
著者所属	東京大学大学院新領域創成科学研究科基盤科学研究系物質系専攻
発行年	2010-03-24
学位名	修士(科学)
学位	master
研究科・専攻	新領域創成科学研究科物質系専攻
学位授与年月日	2010-03-24
学位記番号	修創域第3175号

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