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インデックス
0 資料タイプ別
20 学位論文
021 博士論文
113 工学系研究科・工学部
15 精密工学専攻
1131520 博士論文(精密工学専攻)
Permalink : http://doi.org/10.15083/00075266
Bonding of Single Crystalline SiC using Surface Activation Method for Power Device Applications
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A33177_summary.pdf
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[ 15 downloads ]
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A33177_abstract.pdf (68.68KB)
[ 7 downloads ]
A33177_review.pdf
A33177_review.pdf (92.2KB)
[ 5 downloads ]
JaLC DOI
info:doi/10.15083/00075266
アイテムタイプ
学位論文 / Thesis or Dissertation
言語
英語
その他のタイトル
パワーデバイス応用のための表面活性化手法による単結晶SiC の接合
著者
母 鳳文
著者別名
Mu Fengwen
著者所属
工学系研究科精密工学専攻
内容記述
学位の種別: 課程博士
審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 須賀 唯知, 東京大学教授 国枝 正典, 東京大学教授 金 範埈, 東京大学准教授 日暮 栄治, 東北大学教授 島津 武仁
発行年
2016-09-16
著者版フラグ
none
学位名
博士(工学)
学位
doctoral
学位授与機関
University of Tokyo(東京大学)
研究科・専攻
Department of Precision Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科精密工学専攻)
学位授与年月日
2016-09-16
学位授与番号
12601甲第33177号
学位記番号
博工第8898号
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