WEKO3
アイテム
Bonding of Single Crystalline SiC using Surface Activation Method for Power Device Applications
https://doi.org/10.15083/00075266
https://doi.org/10.15083/000752665a74b5e7-8b9b-460f-a258-e63227b3d228
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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A33177_summary.pdf (156.0 kB)
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A33177_abstract.pdf (68.7 kB)
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A33177_review.pdf (92.2 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2018-09-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Bonding of Single Crystalline SiC using Surface Activation Method for Power Device Applications | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.15083/00075266 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | パワーデバイス応用のための表面活性化手法による単結晶SiC の接合 | |||||
| 著者 |
母, 鳳文
× 母, 鳳文 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 150117 | |||||
| 姓名 | Mu, Fengwen | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 工学系研究科精密工学専攻 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 学位の種別: 課程博士 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 須賀 唯知, 東京大学教授 国枝 正典, 東京大学教授 金 範埈, 東京大学准教授 日暮 栄治, 東北大学教授 島津 武仁 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2016-09-16 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | none | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo(東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| Department of Precision Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科精密工学専攻) | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2016-09-16 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 12601甲第33177号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 博工第8898号 | ||||||
