反転分布状態の半導体量子井戸のバンド端における位相緩和抑制効果

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JaLC DOI	info:doi/10.15083/00077907
アイテムタイプ	学位論文 / Thesis or Dissertation
言語	日本語
その他のタイトル	Suppression of phase relaxation at the band edge of population-inverted semiconductor quantum wells
著者	中前秀一
著者別名	Nakamae Hidekazu
著者所属	理学系研究科物理学専攻
内容記述	学位の種別: 課程博士審査委員会委員 : （主査）東京大学講師井手口拓郎, 東京大学准教授加藤岳生, 東京大学教授金道浩一, 東京大学教授島野亮, 東京大学講師北川健太郎
発行年	2018-03-22
著者版フラグ	none
学位名	博士(理学)
学位	doctoral
学位授与機関	University of Tokyo(東京大学)
研究科・専攻	Department of Physics, Graduate School of Science (理学系研究科物理学専攻)
学位授与年月日	2018-03-22
学位授与番号	12601甲第34609号
学位記番号	博理第6638号