2024-03-29T07:54:27Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00008744
2022-12-19T03:52:36Z
6:428:429
9:233:280
薄膜SOI MOSFETのデバイスパラメータ最適設計のためのモデリングと抽出方法に関する研究
伊藤, 浩
549.6
薄膜電界効果トランジスタ
電気的特性パラメータ
デバイス構造パラメータ
抽出方法
1999-03-29
jpn
thesis
https://doi.org/10.11501/3162751
http://hdl.handle.net/2261/62
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/records/8744
10.11501/3162751
甲第14235号
博士(工学)
1999-03-29
University of Tokyo (東京大学)
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/8744/files/114235.pdf
application/pdf
9.4 MB
2017-06-05