2024-03-28T11:50:25Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00019996
2022-12-19T03:58:46Z
171:1108:1500:1504
9:504:1111:1502:1505
特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化
One Atomic Layer GaAs-AIAs Heterointerface Fluctuations and Their Suppression by Insertion of Smoothing Period in Molecular Beam Epitaxy
田中, 雅明
榊, 裕之
吉野, 淳二
500
特集 生産・加エシステムの最適化
東京大学生産技術研究所
1985-11-01
jpn
departmental bulletin paper
http://hdl.handle.net/2261/39179
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/records/19996
AN00127075
0037105X
生産研究
37
11
477
480
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/19996/files/sk037011011.pdf
application/pdf
303.3 kB
2017-06-08