2024-03-28T23:36:37Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00003656
2022-12-19T03:45:21Z
110:212:254
9:233:234
RF-MBE法によるYSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNの作製と評価(要旨)
石田, 崇
8657
428
立方晶窒化物半導体
RF-MBE成長
YSZ微傾斜基板
InN
立方晶相純度
DERI
修士(科学)
thesis
2011-09-27
2011-09-27
application/pdf
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/3656/files/K-03058-a.pdf
jpn