2024-03-28T12:15:53Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00018354
2022-12-19T05:07:24Z
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Device and Process Design and Characterization of 0.1μm Thin Film SOI MOSFETs
研究解説 : 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
高宮, 真
31304
更屋, 拓哉
31305
デュエト, トラン
31306
田中, 剛
31307
石黒, 仁揮
31308
平本, 俊郎
31309
生駒, 俊明
31310
549
0.1μm薄膜SOI MOSFETの設計・試作を行った. チャネルイオン注入(BF2)のエネルギーをSOIと埋め込み酸化膜の界面にピークがくるよう設計することによりパンチスルーストッパの形成とチャネルのドープを1回のイオン注入で実現した. この簡便なプロセスにより均一ドープの場合と比較し短チャネル効果が抑制できることをシミュレーションにより示し, ゲート長0.095μmのSOI MOSFETの動作を確認した.
departmental bulletin paper
東京大学生産技術研究所
1996-10
application/pdf
生産研究
10
48
502
506
AN00127075
0037105X
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/18354/files/sk048010006.pdf
jpn