2024-03-28T09:51:04Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00018510
2022-12-19T05:07:16Z
171:1108:1244:1252
9:504:1111:1246:1253
Conductance Oscillations in a Very Small Channel SOI-MOSFET with a Split-gate
研究速報 : スプリットゲートによる極微細SOI-MOSにおけるコンダクタンス振動現象
石黒, 仁揮
32053
平本, 俊郎
32054
生駒, 俊明
32055
549
Si極微細構造における電気伝導を解明するため, Si極微細MOS構造を作製しその電気特性の測定を行っている. SOI(Silicon On Insulator)基板上に電子ビーム露光およびリフトオフによりスプリットゲートを作製し, 静電的に電子の伝導チャネルを細線領域に閉じ込めることで極微細MOS構造を実現した. 4.2K以下の測定でピンチオフ電圧付近のコングクタンスに振動が観測された. フーリエスペクトルからコンダクタンス振動は, 周期的成分および非周期的成分から形成されていることが分かった. また, ドレイン--ソース間の電流--電圧特性には非線形性が観測された. これらの現象は電気伝導がクーロンブロケードによる単一電子トンネル, およびホッピング伝導に支配されていることを示すものだと考えられる.
departmental bulletin paper
東京大学生産技術研究所
1995-09
application/pdf
生産研究
9
47
428
431
AN00127075
0037105X
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/18510/files/sk047009007.pdf
jpn