2024-03-29T01:06:22Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00018540
2022-12-19T03:57:22Z
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Conduction-type Conversion of Si-doped (311)A GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
研究解説 : 分子線エピタキシャル成長Siドープ(311)A GaAsの伝導型遷移
阪本, 憲成
32184
平川, 一彦
32185
生駒, 俊明
32186
549
分子線エピタキシー法により成長したSiドープ(311)A GaAsの伝導型の結晶成長条件依存性について詳細に検討した. Siドープ (311)A GaAsの伝導型は, 低成長温度/高ひ素圧条件下ではn型であるが, 一方, 高成長温度/低ひ素条件下ではp型に遷移する. このときの遷移は急峻で, またSiの活性化率も各々の領域で最大100%近くなり, ドーパントとしてSiのみを用いることにより, 良好な伝導型制御が可能であることが明らかになった. さらに, この伝導型遷移のメカニズムが, (311)A面に生成するミクロな表面コラゲーションと強い相関があることを光学的, 電気的手法から明らかにした.
departmental bulletin paper
東京大学生産技術研究所
1995-05
application/pdf
生産研究
5
47
229
236
AN00127075
0037105X
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jpn