2024-03-28T08:54:19Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00018774
2022-12-19T03:57:36Z
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Intelligent Design of Materials Interfaces : Atomistic and Electronic Structure Calculations of Grain Boundaries and Interfaces in Semiconductors and Ceramics
特集6 : 研究解説 : 材料界面の知的材料設計 : 半導体,セラミックスの粒界・界面の原子・電子構造計算
香山, 正憲
33284
山本, 良一
33285
428
セラミックス,半導体中の粒界および異種物質界面の原子配列,電子構造の理論計算について,筆者らの研究を中心に紹介する.Si,SiC中の粒界の原子-電子構造Al2O3と遷移金属界面の電子構造についてその具体像を明らかにするとともに界面の構造が性質を支配する因子の解明,界面設計指針の検討を行っている.
小特集 知的材料設計
departmental bulletin paper
東京大学生産技術研究所
1993-10-01
application/pdf
生産研究
10
45
723
730
AN00127075
0037105X
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/18774/files/sk045010006.pdf
jpn