2024-03-29T01:08:56Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
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2022-12-19T03:58:46Z
171:1108:1500:1504
9:504:1111:1502:1505
One Atomic Layer GaAs-AIAs Heterointerface Fluctuations and Their Suppression by Insertion of Smoothing Period in Molecular Beam Epitaxy
特集9 : 研究速報 : 分子線エピタキシーによる GaAs-AlAs超薄膜へテロ構造における単原子スケールの界面凹凸とその平坦化
田中, 雅明
38694
榊, 裕之
38695
吉野, 淳二
38696
500
特集 生産・加エシステムの最適化
departmental bulletin paper
東京大学生産技術研究所
1985-11-01
application/pdf
生産研究
11
37
477
480
AN00127075
0037105X
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/19996/files/sk037011011.pdf
jpn