2024-03-29T05:07:40Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00052962
2022-12-19T04:29:44Z
6:149:422
9:233:280
化学気相反応法によるSiC合成のマルチスケールシミュレーションと最適設計
舩門, 佑一
157686
University of Tokyo(東京大学)
博士(工学)
学位の種別: 課程博士
審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 霜垣 幸浩, 東京大学教授 一木 隆範, 東京大学教授 杉山 正和, 東京大学准教授 神原 淳, 東京大学准教授 百瀬 健, 京都大学教授 河瀬 元明
thesis
2018-03-22
2018-03-22
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12601甲第34781号
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https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/52962/files/A34781_abstract.pdf
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/52962/files/A34781_review.pdf
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