2024-03-28T15:43:14Z
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/oai
oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00052964
2022-12-19T04:29:43Z
6:149:422
9:233:280
4H-SiC/SiO2熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究
平井, 悠久
157690
University of Tokyo(東京大学)
博士(工学)
学位の種別: 課程博士
審査委員会委員 : (主査)東京大学准教授 喜多 浩之, 東京大学教授 霜垣 幸浩, 東京大学教授 鳥海 明, 東京大学教授 光田 好孝, 筑波大学准教授 矢野 裕司
thesis
2018-03-22
2018-03-22
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12601甲第34783号
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/52964/files/A34783_summary.pdf
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/52964/files/A34783_abstract.pdf
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/52964/files/A34783_review.pdf
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