@article{oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00018282,
 author = {更屋, 拓哉 and 高宮, 真 and デュエト, トラン ゴック and 平本, 俊郎 and 生駒, 俊明},
 issue = {4},
 journal = {生産研究},
 month = {Apr},
 pages = {231--234},
 title = {研究速報 : 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおける1V以下での基板浮遊効果},
 volume = {49},
 year = {1997}
}