WEKO3
アイテム / Epitaxial Growth of Ge Layer with Low Threading Dislocation Density on Si Substrate for Light-Emitting Device Applications / A35855
A35855
| ファイル | ライセンス |
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 A35855.pdf (20.8 MB)
sha256
905eeda4b8101e1890b812fb083963ecea817da09be15c26125a213420019b77
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| 公開日 | 2021-10-04 | |||||
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| ファイル名 | A35855.pdf | |||||
| 本文URL | https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/2002007/files/A35855.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 19.9MB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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