{"created":"2021-03-01T06:20:00.500812+00:00","id":3369,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"2e02e965-f135-44a7-94bc-1bfc71a600a9"},"_deposit":{"id":"3369","owners":[],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"3369"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00003369","sets":["6:209:271","9:233:234"]},"item_7_alternative_title_1":{"attribute_name":"その他のタイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_alternative_title":"Fabrication of monolithic multi-color LEDs of semi-polar InGaN/GaN MQWs with Selective-Area MOVPE based on vapor-phase-diffusion"}]},"item_7_biblio_info_7":{"attribute_name":"書誌情報","attribute_value_mlt":[{"bibliographicIssueDates":{"bibliographicIssueDate":"2011-03-24","bibliographicIssueDateType":"Issued"},"bibliographic_titles":[{}]}]},"item_7_date_granted_25":{"attribute_name":"学位授与年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_dategranted":"2011-03-24"}]},"item_7_degree_name_20":{"attribute_name":"学位名","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreename":"修士(工学)"}]},"item_7_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"本研究では, 近年, 発光デバイスとしての発展が目覚ましいInGaN系LEDについて, 新たな生産技術の提案を行うものである. 昨今の発光デバイスの発展はまさに日進月歩であり, より低価格で高品質な発光デバイスの登場が待ち望まれている. 特にLEDは近年急速に普及しつつある発光デバイスである. まず, 従来の白熱電球に比べて非常に消費電力が小さく, その簡単な構造から長寿命というメリットも併せ持っている. 消費電力が非常に小さいことから, 環境保全にも大いに貢献できる次世代発光デバイスである. しかし, このInGaN系LEDには解決されていない問題を抱えている. InGaNは, 混晶内のIn組成比を変化させることで, 理論上では近紫外から遠赤外までの波長で発光が可能である. しかし, 現在の技術では青色から緑色程度までしか高輝度なLEDは実現しておらず, 早期のInGaN系LEDの長波長化が望まれている. そこで本研究では, InGaN系LED成長において, 選択成長と{11-22}半極性面成長という2つの成長技術を用いることで新たなInGaN系LED作製手法の提案を行った. 選択成長技術とは, 気相拡散効果によって同一サンプル上で異なる発光波長を持ったLEDを成長させることができるというものである. つまり, モノリシックに多色発光のLEDを成長させることができるので, 非常に生産性の高いマルチカラーLEDの実現が可能になる. これまで本研究室では塩田, 富田が階段状マスクを用いた選択成長でマルチカラーLEDの実現を試みてきた. しかしながらc面でのInGaN/GaN MQW成長ではQCSEによって長波長化が妨げられていた[ ]. そこで, 本研究では新たに{11-22}半極性面成長を導入することでQCSEを抑制し, 従来のLEDよりも長波長かつ, 高効率な発光を目指した. 本研究の目的が達成されることで, 従来よりもLEDの生産コストが下がり, より世間に普及することで省エネルギーや環境保全など, 社会に対して大きく貢献できるものであると考えられる.","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_7_select_21":{"attribute_name":"学位","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"master"}]},"item_7_subject_13":{"attribute_name":"日本十進分類法","attribute_value_mlt":[{"subitem_subject":"549","subitem_subject_scheme":"NDC"}]},"item_7_text_24":{"attribute_name":"研究科・専攻","attribute_value_mlt":[{"subitem_text_value":"工学系研究科電気系工学専攻"}]},"item_7_text_4":{"attribute_name":"著者所属","attribute_value_mlt":[{"subitem_text_value":"東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"藤原, 達記"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"8118","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_files":{"attribute_name":"ファイル情報","attribute_type":"file","attribute_value_mlt":[{"accessrole":"open_date","date":[{"dateType":"Available","dateValue":"2017-05-31"}],"displaytype":"detail","filename":"37096500.pdf","filesize":[{"value":"8.1 MB"}],"format":"application/pdf","licensetype":"license_note","mimetype":"application/pdf","url":{"label":"37096500.pdf","url":"https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/3369/files/37096500.pdf"},"version_id":"9749aa67-5ca7-4723-bdb1-86b15abc8dc8"}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"thesis","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec"}]},"item_title":"気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製"}]},"item_type_id":"7","owner":"1","path":["234","271"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2012-03-30"},"publish_date":"2012-03-30","publish_status":"0","recid":"3369","relation_version_is_last":true,"title":["気相拡散を用いた選択MOVPEによる半極性面上InGaN/GaN多重量子井戸モノリシック多色発光LEDの作製"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":null},"updated":"2022-12-19T03:45:03.618670+00:00"}