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  1. 122 新領域創成科学研究科
  2. 11 基盤科学研究系 物質系専攻
  3. 1221125 修士論文(基盤科学研究系物質系専攻)
  1. 0 資料タイプ別
  2. 20 学位論文
  3. 025 修士論文

立法晶Ⅲ族窒化物半導体のRF-MBE成長と評価

http://hdl.handle.net/2261/34094
http://hdl.handle.net/2261/34094
943b3733-554a-4b21-a4af-8202522b1276
名前 / ファイル ライセンス アクション
k-02000.pdf 本文(fulltext) (2.6 MB)
k-02000-a.pdf 要旨(summary) (201.1 kB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2012-10-12
タイトル
タイトル 立法晶Ⅲ族窒化物半導体のRF-MBE成長と評価
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 立方晶窒化物半導体
キーワード
主題Scheme Other
主題 RF-MBE
キーワード
主題Scheme Other
主題 XRDマッピング
キーワード
主題Scheme Other
主題 フォトルミネッセンス
キーワード
主題Scheme Other
主題 ホール測定
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
著者 角田, 雅弘

× 角田, 雅弘

WEKO 8568

角田, 雅弘

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 8569
姓名 Kakuda, Masahiro
著者所属
著者所属 東京大学大学院新領域創成科学研究科基盤科学研究系物質系専攻
著者所属
著者所属 Department of Adcanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo
書誌情報 発行日 2009-09-28
学位名
学位名 修士(科学)
学位
値 master
研究科・専攻
新領域創成科学研究科物質系専攻
学位授与年月日
学位授与年月日 2009-09-28
学位記番号
修創域第3141号
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Ver.1 2021-03-02 08:02:23.850730
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