@misc{oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00052962,
 author = {舩門, 佑一},
 month = {Mar},
 note = {学位の種別: 課程博士, 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 霜垣 幸浩, 東京大学教授 一木 隆範, 東京大学教授 杉山 正和, 東京大学准教授 神原 淳, 東京大学准教授 百瀬 健, 京都大学教授 河瀬 元明},
 title = {化学気相反応法によるSiC合成のマルチスケールシミュレーションと最適設計},
 year = {2018}
}