@misc{oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00052964,
 author = {平井, 悠久},
 month = {Mar},
 note = {学位の種別: 課程博士, 審査委員会委員 : （主査）東京大学准教授 喜多 浩之, 東京大学教授 霜垣 幸浩, 東京大学教授 鳥海 明, 東京大学教授 光田 好孝, 筑波大学准教授 矢野 裕司},
 title = {4H-SiC/SiO2熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究},
 year = {2018}
}