@misc{oai:repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp:00007898,
 author = {劉, 才},
 month = {Nov},
 note = {学位の種別: 課程博士, 審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 中野 義昭, 東京大学教授 岡田 至崇, 東京大学特任教授 藤井 克司, 東京大学准教授 杉山 正和, 東京大学准教授 種村 拓夫},
 title = {Stress and quality engineering of GaN growth on Si with in-situ wafer curvature analysis},
 year = {2014}
}