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アイテム / Electrical characterization of strained and unstrained Si MOS interfaces and impact of interface defects on the device properties / A31484_abstract
A31484_abstract
ファイル | ライセンス |
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A31484_abstract.pdf (115.4 kB) sha256 be01e0e4e29d9a5b39a820186cf4afe55311186cce3c6d3fd425ccd9734c575e |
公開日 | 2016-08-09 | |||||
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ファイル名 | A31484_abstract.pdf | |||||
本文URL | https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/8234/files/A31484_abstract.pdf | |||||
ラベル | A31484_abstract.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 115.4 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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