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  1. 134 生産技術研究所
  2. 生産研究
  3. 47
  4. 9
  1. 0 資料タイプ別
  2. 30 紀要・部局刊行物
  3. 生産研究
  4. 47
  5. 9

研究速報 : スプリットゲートによる極微細SOI-MOSにおけるコンダクタンス振動現象

http://hdl.handle.net/2261/52558
http://hdl.handle.net/2261/52558
7cd29310-98f3-4791-968c-5e1c5812257c
名前 / ファイル ライセンス アクション
sk047009007.pdf sk047009007.pdf (3.2 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2012-11-19
タイトル
タイトル 研究速報 : スプリットゲートによる極微細SOI-MOSにおけるコンダクタンス振動現象
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ departmental bulletin paper
その他のタイトル
その他のタイトル Conductance Oscillations in a Very Small Channel SOI-MOSFET with a Split-gate
著者 石黒, 仁揮

× 石黒, 仁揮

WEKO 32053

石黒, 仁揮

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平本, 俊郎

× 平本, 俊郎

WEKO 32054

平本, 俊郎

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生駒, 俊明

× 生駒, 俊明

WEKO 32055

生駒, 俊明

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 32056
姓名 Ishikuro, Hiroki
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 32057
姓名 Hiramoto, Toshiro
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 32058
姓名 Ikoma, Toshiaki
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所第3部 電子工学
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所第3部 集積デバイスエンジニアリング
著者所属
著者所属 T.I. 筑波研究開発センター 概念デバイス工学
著者所属
著者所属 テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Si極微細構造における電気伝導を解明するため, Si極微細MOS構造を作製しその電気特性の測定を行っている. SOI(Silicon On Insulator)基板上に電子ビーム露光およびリフトオフによりスプリットゲートを作製し, 静電的に電子の伝導チャネルを細線領域に閉じ込めることで極微細MOS構造を実現した. 4.2K以下の測定でピンチオフ電圧付近のコングクタンスに振動が観測された. フーリエスペクトルからコンダクタンス振動は, 周期的成分および非周期的成分から形成されていることが分かった. また, ドレイン--ソース間の電流--電圧特性には非線形性が観測された. これらの現象は電気伝導がクーロンブロケードによる単一電子トンネル, およびホッピング伝導に支配されていることを示すものだと考えられる.
書誌情報 生産研究

巻 47, 号 9, p. 428-431, 発行日 1995-09
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0037105X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00127075
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
出版者
出版者 東京大学生産技術研究所
出版者別名
Institute of Industrial Science, the University of Tokyo
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Ver.1 2021-03-02 04:41:33.418761
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