研究速報 : スプリットゲートによる極微細SOI-MOSにおけるコンダクタンス振動現象

石黒 仁揮; 平本 俊郎; 生駒 俊明

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アイテムタイプ	紀要論文 / Departmental Bulletin Paper
言語	日本語
その他のタイトル	Conductance Oscillations in a Very Small Channel SOI-MOSFET with a Split-gate
著者	石黒仁揮平本俊郎生駒俊明
著者別名	Ishikuro Hiroki Hiramoto Toshiro Ikoma Toshiaki
著者所属	東京大学生産技術研究所第3部電子工学東京大学生産技術研究所第3部集積デバイスエンジニアリング T.I. 筑波研究開発センター概念デバイス工学テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
抄録	Si極微細構造における電気伝導を解明するため, Si極微細MOS構造を作製しその電気特性の測定を行っている. SOI(Silicon On Insulator)基板上に電子ビーム露光およびリフトオフによりスプリットゲートを作製し, 静電的に電子の伝導チャネルを細線領域に閉じ込めることで極微細MOS構造を実現した. 4.2K以下の測定でピンチオフ電圧付近のコングクタンスに振動が観測された. フーリエスペクトルからコンダクタンス振動は, 周期的成分および非周期的成分から形成されていることが分かった. また, ドレイン--ソース間の電流--電圧特性には非線形性が観測された. これらの現象は電気伝導がクーロンブロケードによる単一電子トンネル, およびホッピング伝導に支配されていることを示すものだと考えられる.
雑誌名	生産研究
巻	47
号	9
ページ	428 - 431
発行年	1995-09
ISSN	0037105X
書誌レコードID	AN00127075
日本十進分類法	549
出版者	東京大学生産技術研究所
出版者別名	Institute of Industrial Science, the University of Tokyo

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