WEKO3
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Si基板上III-V族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究
https://doi.org/10.11501/3077158
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
273928.pdf (7.0 MB)
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Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2012-03-01 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Si基板上III-V族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
タイプ | thesis | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.11501/3077158 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
著者 |
須郷, 満
× 須郷, 満 |
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著者所属 | ||||||
著者所属 | 工学系研究科電子工学専攻 | |||||
書誌情報 | 発行日 1993-02-12 | |||||
学位名 | ||||||
学位名 | 博士(工学) | |||||
学位 | ||||||
値 | doctoral | |||||
学位分野 | ||||||
Engineering (工学) | ||||||
学位授与機関 | ||||||
学位授与機関名 | University of Tokyo (東京大学) | |||||
研究科・専攻 | ||||||
Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科電子工学専攻) | ||||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 1993-02-12 | |||||
学位授与番号 | ||||||
学位授与番号 | 乙第11077号 | |||||
学位記番号 | ||||||
第11077号 |