Reaction Pathway Analysis for the Mobility of Partial Dislocation in 3C-SiC and Shuffle-set Perfect Dislocation in Silicon 利用統計を見る

JaLC DOI	info:doi/10.15083/00073500
アイテムタイプ	学位論文 / Thesis or Dissertation
言語	英語
その他のタイトル	3C-SiCの部分転位とシリコンのシャフルセット完全転位の移動度に関する反応経路解析
著者	楊晶
著者別名	Yang Jing
著者所属	工学系研究科機械工学専攻
内容記述	学位の種別: 課程博士審査委員会委員 : （主査）東京大学教授泉聡志, 東京大学特任教授酒井信介, 東京大学教授吉川暢宏, 東京大学准教授澁田靖, 千葉工業大学准教授原祥太郎
発行年	2016-03-24
著者版フラグ	ETD
学位名	博士(工学)
学位	doctoral
学位授与機関	University of Tokyo(東京大学)
研究科・専攻	Department of Mechanical Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科機械工学専攻)
学位授与年月日	2016-03-24
学位授与番号	12601甲第32496号
学位記番号	博工第8758号

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