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インデックスツリー
インデックス
0 資料タイプ別
20 学位論文
021 博士論文
113 工学系研究科・工学部
34 マテリアル工学専攻
1133420 博士論文(マテリアル工学専攻)
Permalink : http://hdl.handle.net/2261/00077760
Thermal oxidation kinetics of SiGe layer epitaxially grown on Si substrate
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アイテムタイプ
学位論文 / Thesis or Dissertation
言語
英語
その他のタイトル
Si基板上にエピタキシャル成長されたSiGe層における熱酸化機構の研究
著者
宋 宇振
著者別名
SONG WOOJIN
著者所属
工学系研究科マテリアル工学専攻
内容記述
学位の種別: 課程博士
審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 鳥海 明, 東京大学教授 森田 一樹, 東京大学教授 高木 信一, 東京大学准教授 喜多 浩之, 東京大学教授 石川 靖彦
発行年
2018-01-18
著者版フラグ
none
学位名
博士(工学)
学位
doctoral
学位授与機関
University of Tokyo(東京大学)
研究科・専攻
Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科マテリアル工学専攻)
学位授与年月日
2018-01-18
学位授与番号
12601甲第34462号
学位記番号
博工第9207号
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ir-support[at]lib.u-tokyo.ac.jp
カテゴリごと
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Thermal oxidation kinetics of SiGe layer epitaxially grown on Si substrate
A34462_abstract.pdf
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