WEKO3
アイテム
Thermal oxidation kinetics of SiGe layer epitaxially grown on Si substrate
http://hdl.handle.net/2261/00077760
http://hdl.handle.net/2261/00077760c8da6d41-fa84-4871-8243-c6bee7215b32
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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A34462_abstract.pdf (76.4 kB)
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A34462_review.pdf (27.7 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-09-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Thermal oxidation kinetics of SiGe layer epitaxially grown on Si substrate | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Si基板上にエピタキシャル成長されたSiGe層における熱酸化機構の研究 | |||||
| 著者 |
宋, 宇振
× 宋, 宇振 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 157049 | |||||
| 姓名 | SONG, WOOJIN | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 工学系研究科マテリアル工学専攻 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 学位の種別: 課程博士 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 鳥海 明, 東京大学教授 森田 一樹, 東京大学教授 高木 信一, 東京大学准教授 喜多 浩之, 東京大学教授 石川 靖彦 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2018-01-18 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | none | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo(東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering (工学系研究科マテリアル工学専攻) | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2018-01-18 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 12601甲第34462号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 博工第9207号 | ||||||
