WEKO3
アイテム / TBAsを用いた(In)GaAsN混晶半導体薄膜のMOVPE成長とその光学的特性 / K-00672-a
K-00672-a
ファイル | ライセンス |
---|---|
K-00672-a.pdf (206.6 kB) sha256 e1c93c7e580833ad0e0ae0ccdf09515a94845bbcedb1a91f7d37f7cd3e161b6e |
公開日 | 2011-08-08 | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
ファイル名 | K-00672-a.pdf | |||||
本文URL | https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/1286/files/K-00672-a.pdf | |||||
ラベル | 要旨(summary) | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 206.6 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
---|