ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 113 工学系研究科・工学部
  2. 22 電気系工学専攻
  3. 1132225 修士論文(電気系工学専攻)
  1. 0 資料タイプ別
  2. 20 学位論文
  3. 025 修士論文

Siドーピングをした積層量子ドットの中間バンド型太陽電池への応用

http://hdl.handle.net/2261/44125
http://hdl.handle.net/2261/44125
ba47c26f-265c-4a4c-8808-8f703aada5d9
名前 / ファイル ライセンス アクション
37096508.pdf 37096508.pdf (2.7 MB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2011-08-08
タイトル
タイトル Siドーピングをした積層量子ドットの中間バンド型太陽電池への応用
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
その他のタイトル
その他のタイトル Multi-stacked InAs/GaNAs quantum dots with direct Si doping for use in intermediate band solar cell
著者 森岡, 孝之

× 森岡, 孝之

WEKO 5289

森岡, 孝之

Search repository
著者所属
著者所属 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
Abstract
内容記述タイプ Abstract
内容記述 キャリアが3次元方向に量子力学的に閉じ込められる量子ドットでは、エネルギー状態が離散化されることから優れた光学的特性が期待され、様々なデバイス応用が考案されている。中間バンド型太陽電池への応用を考えた場合、効率的な2段階の光学遷移を実現するためにドーピングによる、量子ドット層におけるフェルミ準位の制御が重要となる。そこで本研究では、原子状水素援用RF分子線エピタキシー法を用いて、GaAs(001)基板上にSi原子を直接ドーピングしたInAs量子ドットを形成し、III-N-V族化合物半導体GaNAsを歪み補償中間層に用いて積層して、太陽電池構造に導入するための研究を行った。この結果、直接ドープをしたInAs量子ドットにおいて密度、均一性を維持したまま25層までの積層成長を行うことに成功した。このとき、直接ドープにより量子ドットの光学特性が変化することを示す結果が得られた。また量子ドット太陽電池を作製し、量子ドット層へのドーピングによりデバイス特性が改善されることを明らかにし、さらに2段階の光学遷移過程の検証実験を行った。
書誌情報 発行日 2011-03-24
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
学位名
学位名 修士(工学)
学位
値 master
研究科・専攻
工学系研究科電気系工学専攻
学位授与年月日
学位授与年月日 2011-03-24
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2021-03-02 08:19:02.228622
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3