WEKO3
アイテム
Siドーピングをした積層量子ドットの中間バンド型太陽電池への応用
http://hdl.handle.net/2261/44125
http://hdl.handle.net/2261/44125ba47c26f-265c-4a4c-8808-8f703aada5d9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
37096508.pdf (2.7 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2011-08-08 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Siドーピングをした積層量子ドットの中間バンド型太陽電池への応用 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| タイプ | thesis | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Multi-stacked InAs/GaNAs quantum dots with direct Si doping for use in intermediate band solar cell | |||||
| 著者 |
森岡, 孝之
× 森岡, 孝之 |
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| 著者所属 | ||||||
| 著者所属 | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 | |||||
| Abstract | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | キャリアが3次元方向に量子力学的に閉じ込められる量子ドットでは、エネルギー状態が離散化されることから優れた光学的特性が期待され、様々なデバイス応用が考案されている。中間バンド型太陽電池への応用を考えた場合、効率的な2段階の光学遷移を実現するためにドーピングによる、量子ドット層におけるフェルミ準位の制御が重要となる。そこで本研究では、原子状水素援用RF分子線エピタキシー法を用いて、GaAs(001)基板上にSi原子を直接ドーピングしたInAs量子ドットを形成し、III-N-V族化合物半導体GaNAsを歪み補償中間層に用いて積層して、太陽電池構造に導入するための研究を行った。この結果、直接ドープをしたInAs量子ドットにおいて密度、均一性を維持したまま25層までの積層成長を行うことに成功した。このとき、直接ドープにより量子ドットの光学特性が変化することを示す結果が得られた。また量子ドット太陽電池を作製し、量子ドット層へのドーピングによりデバイス特性が改善されることを明らかにし、さらに2段階の光学遷移過程の検証実験を行った。 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2011-03-24 | |||||
| 日本十進分類法 | ||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||
| 主題 | 549 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 修士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | master | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 工学系研究科電気系工学専攻 | ||||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2011-03-24 | |||||
