WEKO3
アイテム / 研究速報 : 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおける1V以下での基板浮遊効果 / sk049004010
sk049004010
ファイル | ライセンス |
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sk049004010.pdf (634.9 kB) sha256 ddcb59687601ed0f8021ca6055fa62041b43f7507b224af46c9ed3560cc11c71 |
公開日 | 2013-02-04 | |||||
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ファイル名 | sk049004010.pdf | |||||
本文URL | https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/18282/files/sk049004010.pdf | |||||
ラベル | sk049004010.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 634.9 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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