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アイテム / Fabrication of (111) Ge-on-insulator n-channel MOSFETs by smart-cut process and the electrical characteristics / A37613_summary

A37613_summary


A37613_summary.pdf
38429cd2-7e8e-4fed-abf2-fb023aae2998
https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/2006348/files/A37613_summary.pdf
ファイル ライセンス
A37613_summary.pdf/A37613_summary.pdf (91.0 kB) sha256 dc78eae5e7875f7b98b0e5d379e89e6f39b7048ea2328b5d88672531996dced9
公開日 2023-03-24
ファイル名 A37613_summary.pdf
本文URL https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/2006348/files/A37613_summary.pdf
オブジェクトタイプ summary
フォーマット application/pdf
サイズ 88.9KB
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