WEKO3
アイテム
スマートカットプロセスによる(111) Ge-on-insulator n-チャネルMOSFETの作製とその電気特性
https://doi.org/10.15083/0002006348
https://doi.org/10.15083/000200634804a2de16-dd9e-497d-907c-650bb604ab6d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2023-03-24 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Fabrication of (111) Ge-on-insulator n-channel MOSFETs by smart-cut process and the electrical characteristics | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | スマートカットプロセスによる(111) Ge-on-insulator n-チャネルMOSFETの作製とその電気特性 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||
| タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.15083/0002006348 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||
| 著者 |
林, 澈敏
× 林, 澈敏
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| 著者所属 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 著者所属 | 工学系研究科電気系工学専攻 | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 学位の種別: 課程博士 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 審査委員会委員 : (主査)東京大学教授 高木 信一, 東京大学教授 平本 俊郎, 東京大学教授 内田 建, 東京大学准教授 中根 了昌, 東京大学准教授 竹中 充, 東京大学准教授 小林 正治 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 書誌情報 |
発行日 2020-09-18 |
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| 学位名 | ||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||||||
| 学位授与機関 | ||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||
| 学位授与機関識別子 | 12601 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 学位授与機関名 | 東京大学 | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 学位授与機関名 | The University of Tokyo | |||||||||
| 研究科・専攻 | ||||||||||
| Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering (工学系研究科電気系工学専攻) | ||||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2020-09-18 | |||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲第37613号 | |||||||||
| 学位記番号 | ||||||||||
| ja | ||||||||||
| 博工第9971号 | ||||||||||