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アイテム / 4H-SiC MOSFETの反転層における電子移動度評価とキャリア散乱機構モデルの研究 / B18854
B18854
| ファイル | ライセンス |
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 B18854.pdf (11.1 MB)
sha256
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| ファイル名 | B18854.pdf | |||||
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| 本文URL | https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/2012391/files/B18854.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | fulltext | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 10.6MB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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