WEKO3
アイテム
4H-SiC MOSFETの反転層における電子移動度評価とキャリア散乱機構モデルの研究
https://doi.org/10.15083/0002012391
https://doi.org/10.15083/0002012391a2406832-b54a-4122-ac58-288f5a3dbda0
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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B18854.pdf (10.6MB)
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B18854_abstract.pdf (574.3KB)
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B18854_review.pdf (193.8KB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2023-06-07 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 4H-SiC MOSFETの反転層における電子移動度評価とキャリア散乱機構モデルの研究 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||
| タイプ | doctoral thesis | |||||||
| ID登録 | ||||||||
| ID登録 | 10.15083/0002012391 | |||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||
| アクセス権 | ||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||
| 著者 |
野口, 宗隆
× 野口, 宗隆
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| 内容記述 | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | 学位の種別:論文博士|審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 喜多 浩之, 東京大学教授 寺嶋 和夫, 東京大学教授 竹谷 純一, 東京大学教授 高木 信一, 東京大学准教授 加藤 和明, 筑波大学准教授 矢野 裕司 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| bibliographic_information | ||||||||
| 学位名 | ||||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位名 | 博士(科学) | |||||||
| 学位授与機関 | ||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||
| 学位授与機関識別子 | 12601 | |||||||
| 言語 | ja | |||||||
| 学位授与機関名 | 東京大学 | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 学位授与機関名 | The University of Tokyo | |||||||
| item_7_text_24 | ||||||||
| Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences(新領域創成科学研究科物質系専攻) | ||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||
| 学位授与年月日 | 2023-06-07 | |||||||
| dissertation_number | ||||||||
| 学位授与番号 | 乙第18854号 | |||||||
| item_7_text_27 | ||||||||
| ja | ||||||||
| 乙第18854号 | ||||||||
| 出版タイプ | ||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||
