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アイテム / 4H-SiC MOSFETの反転層における電子移動度評価とキャリア散乱機構モデルの研究 / B18854_abstract
B18854_abstract
| ファイル | ライセンス |
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 B18854_abstract.pdf (588.1 kB)
sha256
27f778e5bf880359ed430491c127d3f364146cf2168f1be79669a334c05fcf9e
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| ファイル名 | B18854_abstract.pdf | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 本文URL | https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/2012391/files/B18854_abstract.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | abstract | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 574.3KB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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