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アイテム / 4H-SiC MOSFETの反転層における電子移動度評価とキャリア散乱機構モデルの研究 / B18854_review
B18854_review
| ファイル | ライセンス |
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 B18854_review.pdf (198.4 kB)
sha256
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| ファイル名 | B18854_review.pdf | |||||
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| 本文URL | https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/2012391/files/B18854_review.pdf | |||||
| オブジェクトタイプ | other | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 193.8KB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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