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研究解説 : 半導体中の深いエネルギー準位の不純物の測定
http://hdl.handle.net/2261/34586
d51bf643-d5d8-47d1-908d-8511a1036d3f
名前 / ファイル | ライセンス | アクション | |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2010-04-05 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 研究解説 : 半導体中の深いエネルギー準位の不純物の測定 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Determination of Electronic Properties of Deep Level Impurities in Semiconductor | |||||
著者 |
堺, 和夫
× 堺, 和夫× 生駒, 俊明 |
|||||
著者別名 | ||||||
識別子 | ||||||
識別子 | 111030 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | ||||||
姓名 | SAKAI, Kazuo | |||||
著者別名 | ||||||
識別子 | ||||||
識別子 | 111031 | |||||
識別子Scheme | WEKO | |||||
姓名 | ||||||
姓名 | IKOMA, Toshiaki | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | 東京大学生産技術研究所 第3部 電子工学 | |||||
著者所属 | ||||||
著者所属 | 東京大学生産技術研究所 第3部 半導体電子工学 | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 半導体デバイスの特性・信頼性の改良,あるいは新たな半導体材料の開発という意味においても,半導体中に含まれる深いエネルギー準位の不純物の検出は極めて重要な問題である.プロセス技術の改良という要求から,この問題に対し多くの研究が行なわれてきた.低濃度の深いエネルギー準位の不純物を簡単に感度良く検知する事は現在の課題であり,多くの測定法の中でも接合を用いた方法はこの要求を満たすものとして第一にあげられる.本解説では,この接合を用いた不純物測定法を述べ,今までに報告されている,不純物準位に関する数値をまとめた. | |||||
書誌情報 |
生産研究 巻 25, 号 7, p. 278-287, 発行日 1973-07-01 |
|||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 0037105X | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN00127075 | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
日本十進分類法 | ||||||
主題 | 500 | |||||
主題Scheme | NDC | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 東京大学生産技術研究所 | |||||
出版者別名 | ||||||
Institute of Industrial Science. University of Tokyo |