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  1. 134 生産技術研究所
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  3. 生産研究
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研究解説 : 半導体中の深いエネルギー準位の不純物の測定

http://hdl.handle.net/2261/34586
d51bf643-d5d8-47d1-908d-8511a1036d3f
名前 / ファイル ライセンス アクション
sk025007002.pdf sk025007002.pdf (797.3 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2010-04-05
タイトル
タイトル 研究解説 : 半導体中の深いエネルギー準位の不純物の測定
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
タイプ departmental bulletin paper
その他のタイトル
その他のタイトル Determination of Electronic Properties of Deep Level Impurities in Semiconductor
著者 堺, 和夫

× 堺, 和夫

WEKO 111028

堺, 和夫

Search repository
生駒, 俊明

× 生駒, 俊明

WEKO 111029

生駒, 俊明

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著者別名
識別子
識別子 111030
識別子Scheme WEKO
姓名
姓名 SAKAI, Kazuo
著者別名
識別子
識別子 111031
識別子Scheme WEKO
姓名
姓名 IKOMA, Toshiaki
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所 第3部 電子工学
著者所属
著者所属 東京大学生産技術研究所 第3部 半導体電子工学
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 半導体デバイスの特性・信頼性の改良,あるいは新たな半導体材料の開発という意味においても,半導体中に含まれる深いエネルギー準位の不純物の検出は極めて重要な問題である.プロセス技術の改良という要求から,この問題に対し多くの研究が行なわれてきた.低濃度の深いエネルギー準位の不純物を簡単に感度良く検知する事は現在の課題であり,多くの測定法の中でも接合を用いた方法はこの要求を満たすものとして第一にあげられる.本解説では,この接合を用いた不純物測定法を述べ,今までに報告されている,不純物準位に関する数値をまとめた.
書誌情報 生産研究

巻 25, 号 7, p. 278-287, 発行日 1973-07-01
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0037105X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00127075
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
日本十進分類法
主題 500
主題Scheme NDC
出版者
出版者 東京大学生産技術研究所
出版者別名
Institute of Industrial Science. University of Tokyo
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Ver.1 2021-03-02 00:08:07.963927
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