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  1. 113 工学系研究科・工学部
  2. 22 電気系工学専攻
  3. 1132225 修士論文(電気系工学専攻)
  1. 0 資料タイプ別
  2. 20 学位論文
  3. 025 修士論文

Electric Field Dependence of Photoluminescence from Single-Walled Carbon Nanotubes

http://hdl.handle.net/2261/53514
http://hdl.handle.net/2261/53514
5f344375-d381-418c-8b5d-19c0f9bb5def
名前 / ファイル ライセンス アクション
37096510.pdf 37096510.pdf (6.6 MB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2013-04-01
タイトル
タイトル Electric Field Dependence of Photoluminescence from Single-Walled Carbon Nanotubes
言語
言語 eng
資源タイプ
資源 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
タイプ thesis
その他のタイトル
その他のタイトル 単層カーボンナノチューブにおけるフォトルミネッセンスの電界変調効果
著者 Yasukochi, Satoshi

× Yasukochi, Satoshi

WEKO 9905

Yasukochi, Satoshi

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著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 9906
姓名 安河内, 諭
著者所属
著者所属 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
Abstract
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Semiconducting single-walled carbon nanotubes are a promising material for applications in photonics and optelectronics, because of their direct band gap and one dimensional structure. In this work, using suspended single-walled carbon nanotubes, electric field effects on photoluminescence is investigated. It is expected that energy shifts would be caused by screening effects due to doped carriers by the electric field. In order to allow an application of electric fields on as-grown nanotubes, back-gated field effect transistors are used. Trenches are fabricated on SiO2/Si substrates, and Pt is deposited for electrical contacts. Carbon nanotubes are grown by patterned chemical vapor deposition. Individual suspended carbon nanotubes are identified by taking photoluminescence images using a home-built laser-scanning confocal microscope. After determining the chirality by photoluminescence excitation spectra, we measure the gate voltage dependence on photoluminescence. We observe quenching of photoluminescence intensity and blue shifts of emission wavelength as gate voltages are applied. Screening effects are not observed. A possible cause of the energy shifts is migration of adsorbed molecules due to the electric field. Theoretical calculation of the photoluminescence quenching caused by the increase of scattering with carriers is compared with experimental results.
書誌情報 発行日 2011-03-24
日本十進分類法
主題Scheme NDC
主題 549
学位名
学位名 修士(工学)
学位
値 master
研究科・専攻
工学系研究科電気系工学専攻
学位授与年月日
学位授与年月日 2011-03-24
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Ver.1 2021-03-02 07:49:45.414737
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