WEKO3
アイテム
IV族強磁性半導体Ge(1-x)Fexにおけるキャリア濃度の制御、磁性、バンド描像
https://doi.org/10.15083/00077522
https://doi.org/10.15083/0007752287470f6b-5356-4510-a13f-7e51f52f3c63
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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A34220_summary.pdf (160.4 kB)
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A34220_abstract.pdf (144.2 kB)
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A34220_review.pdf (130.0 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-09-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | IV族強磁性半導体Ge(1-x)Fexにおけるキャリア濃度の制御、磁性、バンド描像 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.15083/00077522 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
伴, 芳祐
× 伴, 芳祐 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 156573 | |||||
| 姓名 | Ban, Yoshisuke | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 工学系研究科電気系工学専攻 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 学位の種別: 課程博士 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 田中 雅明, 東京大学教授 高木 信一, 東京大学教授 平川 一彦, 東京大学教授 田畑 仁, 東京大学准教授 大矢 忍, 東京大学准教授 ファムナムハイ | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2017-09-07 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | none | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo(東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 値 | Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering (工学系研究科電気系工学専攻) | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2017-09-07 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 12601甲第34220号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 値 | 博工第9103号 | |||||
