WEKO3
アイテム
集積赤外フォトダイオード実現に向けたSi上InGaAs選択成長プロセス
https://doi.org/10.15083/00078053
https://doi.org/10.15083/00078053a056a18d-ca0a-4cf0-94c6-b1591cd21582
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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A34755_summary.pdf (853.6 kB)
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A34755_abstract.pdf (144.5 kB)
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A34755_review.pdf (157.8 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-09-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 集積赤外フォトダイオード実現に向けたSi上InGaAs選択成長プロセス | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.15083/00078053 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Selective area growth of InGaAs on Si for integrated infrared photodiodes | |||||
| 著者 |
渡邉, 冬馬
× 渡邉, 冬馬 |
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| 著者別名 | ||||||
| 識別子Scheme | WEKO | |||||
| 識別子 | 157635 | |||||
| 姓名 | Watanabe, Tohma | |||||
| 著者所属 | ||||||
| 値 | 工学系研究科電気系工学専攻 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 学位の種別: 課程博士 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 杉山 正和, 東京大学教授 中野 義昭, 東京大学教授 岡田 至崇, 東京大学教授 高橋 琢二, 北海道大学准教授 冨岡 克広 | |||||
| 書誌情報 | 発行日 2018-03-22 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 値 | none | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位 | ||||||
| 値 | doctoral | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | University of Tokyo(東京大学) | |||||
| 研究科・専攻 | ||||||
| 値 | Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering (工学系研究科電気系工学専攻) | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2018-03-22 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 12601甲第34755号 | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 値 | 博工第9279号 | |||||
