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One fine body…

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アイテム / Fabrication of SiO2/4H-SiC (0001) interface with nearly ideal capacitance-voltage characteristics by thermal oxidation / 1

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4a7784f4-8a60-47e1-b393-e7f82aa30ccd
1.4891166.pdf
ファイル ライセンス
1.4891166.pdf/1.4891166.pdf (469.2 kB) sha256 88d2df6b2f00f974ff13b814b061a404cdefbc2966e3dca389ffd39054585986
公開日 2015-02-04
ファイル名 1.4891166.pdf
本文URL
本文URL https://repository.dl.itc.u-tokyo.ac.jp/record/664/files/1.4891166.pdf
ラベル 1.4891166.pdf
フォーマット application/pdf
サイズ
サイズ 469.2 kB
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